Borja Alberdi Esuain ha obtenido la calificación Sobresaliente Cum Laude por su tesis sobre semiconductores de banda ancha en sistemas de tracción vertical, destacando innovaciones y desafíos en electrónica de potencia.
El alumno Borja Alberdi Esuain ha logrado la calificación de SOBRESALIENTE CUM LAUDE por su tesis titulada Impact of wide bandgap semiconductors on vertical traction systems. Este reconocimiento se produjo el 24 de noviembre de 2025, en un acto que reunió a destacados miembros del ámbito académico y profesional.
El tribunal encargado de evaluar la tesis estuvo presidido por María Pilar Molina Gaudó, representante de la Universidad de Zaragoza. Los vocales fueron Irma Villar Iturbe (Ikerlan), Alain Sanchez Ruiz (UPV/EHU) y Jon Azurza Anderson (Infineon Technologies). La secretaría del tribunal fue ocupada por Iosu Aizpuru Larrañaga, de la Mondragon Unibertsitatea.
La investigación presentada por Alberdi aborda un tema crucial en el contexto actual: los desafíos que enfrenta la industria para mitigar el cambio climático. En su resumen, el autor destaca que es esencial replantear los sectores industriales desde una perspectiva sostenible. Sin embargo, reconoce que la alta competitividad en ciertos ámbitos complica esta transformación.
La tesis profundiza en el papel fundamental de la electrónica de potencia moderna, que ha evolucionado gracias al uso del silicio. Aunque este material ha alcanzado un alto grado de madurez, se vislumbra un cambio hacia nuevos materiales semiconductores de banda ancha prohibida (WBG), que prometen superar las limitaciones del silicio y mejorar las prestaciones eléctricas.
A lo largo del documento, Alberdi realiza una revisión exhaustiva sobre los materiales WBG y las tecnologías emergentes, comparando sus ventajas mediante diversas Figuras de Mérito (FOM). El primer capítulo establece las bases fundamentales para el desarrollo de su investigación. En el segundo capítulo, se centra en la tecnología GaN HEMT, con énfasis en los dispositivos GaN GIT para aplicaciones de alta tensión.
En este contexto, se discuten los principales desafíos relacionados con la integración de estos nuevos dispositivos, respaldados por análisis experimentales que evalúan factores críticos como la corriente de saturación y la resistencia dinámica en conducción. Para facilitar dicha integración en el diseño de convertidores de potencia, el tercer capítulo presenta un modelo analítico flexible basado en ecuaciones polinómicas.
Dicho modelo se valida experimentalmente mediante un convertidor push-pull DC/DC basado en Si-MOSFET. En el cuarto capítulo, Alberdi explora su aplicación en sistemas de elevación como caso práctico. Tras analizar diferentes escenarios para integrar los WBG, diseña un convertidor DC/DC basado en GaN, validando experimentalmente su aplicabilidad.
Además, se desarrolla un convertidor con conmutaciones suaves utilizando Si-MOSFETs bajo las mismas especificaciones, permitiendo una comparación detallada entre topologías de conmutación dura y suave a través de distintas tecnologías semiconductoras. Finalmente, se presenta un diseño innovador para un convertidor de alta tensión basado en GaN HEMTs y se concluye con posibles líneas futuras para continuar investigando en este campo tan relevante.