Catalunya establece el patronato de InnoFAB para impulsar semiconductores

El Departament de Recerca i Universitats ha celebrado esta mañana la constitución del patronato de la Fundación InnoFAB, una entidad sin ánimo de lucro que se inscribe en el ámbito del sector público de la Generalitat. Su misión principal es establecer una nueva infraestructura dedicada al prototipado de semiconductores avanzados en Catalunya.

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En el evento han participado destacados consellers, incluyendo a Albert Dalmau (Presidencia), Alícia Romero (Economía y Finanzas), Miquel Sàmper (Empresa y Trabajo) y Núria Montserrat (Recerca y Universitats). La Fundación InnoFAB estará bajo la dirección del Departamento de Recerca y Universitats, encargándose de la ejecución y gestión del proyecto. El patronato está compuesto por los mismos consellers, con Núria Montserrat y Alícia Romero ocupando los cargos de presidenta y vicepresidenta, respectivamente.

La estructura organizativa incluirá una comisión ejecutiva formada por cinco miembros designados por el patronato, así como figuras responsables de la dirección y gerencia. Además, se establecerá un consejo asesor integrado por investigadores reconocidos en sus respectivos campos.

Infraestructura con vocación internacional

InnoFAB será fundamental en el sistema catalán de conocimiento, actuando como el primer centro dedicado al desarrollo y prototipado de micro y nanotecnologías basadas en semiconductores avanzados. Este proyecto técnico, liderado hasta ahora por el ICN2, representa una inversión estimada de cerca de 400 millones de euros, financiada en parte por los fondos NextGenerationEU. La ubicación elegida para este nuevo centro es el Parc de l'Alba, adyacente al Sincrotró.

Las instalaciones contarán con una sala blanca de 2.000 m² destinada a la fabricación de prototipos y pequeñas series de semiconductores avanzados aplicables en sectores estratégicos como la electrónica, salud o energía. Además, se construirán tres edificios: uno para fabricación (10.600 m²), otro para oficinas y laboratorios (7.300 m²) y un tercero auxiliar (4.000 m²), sumando un total aproximado de 22.000 m² construidos.

Aunque su actividad se centrará principalmente en Catalunya, las colaboraciones e impacto del centro tendrán un alcance nacional, europeo e internacional. El objetivo es consolidar a Catalunya como un núcleo potente para el diseño, desarrollo y prototipado de chips dentro del contexto europeo. En este sentido, InnoFAB será crucial para generar talento y fomentar start-ups tecnológicas así como pequeñas y medianas empresas en este ámbito.

Pieza clave del Trident Innovador

Esta iniciativa se alinea con la estrategia del Gobierno para promover la investigación y desarrollo especializados en tecnología relacionada con semiconductores avanzados. Asimismo, forma parte del PERTE Chip y del European Chips Act, dos programas destinados a fortalecer la autonomía tecnológica del continente europeo.

InnoFAB integra el Trident Innovador previsto por el Plan Catalunya Lidera, que busca establecer a Catalunya como un referente europeo en innovación tecnológica e industrial con especial énfasis en semiconductores. Junto a InnoFAB, se contemplan otros dos proyectos: DARE, liderado por el Barcelona Supercomputing Center para desarrollar tecnología basada en arquitectura abierta RISC-V; y PIXEurope, coordinado por el Institut de Ciències Fotòniques (ICFO) para afianzar el liderazgo europeo en circuitos fotónicos integrados aplicables a sectores estratégicos como telecomunicaciones y salud.

En enero pasado, el Gobierno adjudicó al grupo IDP la redacción del proyecto básico para la construcción del InnoFAB por un importe de 2,6 millones de euros. Esta propuesta servirá como base para elaborar el proyecto ejecutivo necesario para las obras que se espera adjudicar durante el verano de 2026.

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