La empresa japonesa Rapidus avanza en la fabricación de transistores de 2nm. Esta start-up ha comenzado a prototipar un transistor gate-all-around (GAA) de 2nm en una nueva instalación de fabricación, lo que representa un avance significativo en las técnicas de producción de semiconductores.
Según Rapidus, sus transistores GAA de 2nm han empezado a mostrar características eléctricas, un término que abarca aspectos como la conductividad, resistencia, voltaje, potencia y frecuencia. Este logro mantiene a la compañía en el camino para iniciar la producción en masa en 2027.
Proyectos futuros y desarrollo tecnológico
La empresa tiene previsto lanzar un kit de desarrollo de procesos compatible para algunos clientes a principios de 2026, permitiéndoles comenzar sus propios procesos de prototipado.
Rapidus atribuye su éxito en el desarrollo del transistor de 2nm a su recién inaugurada fundición IIM-1. La construcción de esta instalación comenzó en septiembre de 2023 y se completó con una sala limpia en 2024, donde se conectaron más de 200 piezas avanzadas de equipo semiconductor el mes pasado.
Innovaciones y apoyo gubernamental
La compañía considera que IIM-1 representa un “avance significativo” respecto a los modelos tradicionales de fundición, reinventando la manera en que las fábricas de semiconductores deben pensar, aprender, adaptarse y optimizar procesos en tiempo real.
Rapidus utiliza tecnologías como el procesamiento frontal totalmente monocapa y la litografía ultravioleta extrema, posicionándose como uno de los líderes en cada uno de estos campos. Además, según reportes de Bloomberg, el gobierno japonés invirtió JPY590 mil millones (aproximadamente $4 mil millones) en Rapidus a principios de 2024, sumándose al respaldo previo para IIM-1.
Diversos artículos destacan que Rapidus fue una de las varias empresas beneficiadas por esta inyección financiera gubernamental como parte del esfuerzo por revitalizar el sector semiconductor, lo cual también incluyó un paquete de subsidios e incentivos valorado en JPY10 billones.